반도체 원리가 궁금해요. 정보
반도체 원리가 궁금해요.
본문
반도체에서 npn형 기준으로
좌측의 np가 99.9 가 되고 pn이 0.1이 되도록 한다는데, 이게 무슨말인가요?
그리고 반도체 자체가 이중성질을 스스로 가지고 있는 것인가요? 다중인격자처럼요.
아니면 도체와 부도체로 자유롭게 전환시켜서 만들수 있는 어떤 재료적 성질이 좋다하여
반토막 도체라는 중립적 이름을 붙인 것인가요?
그리고 반도체를 만들때 회로도를 에칭으로 만드는 것은 이해가 가는데,
그 다음 공정의 불순물을 넣는게 이해가 안됩니다. 에칭으로 금속의 라인을 만들어 놓고,
불순물을 그냥 막 집어 넣으면, 지들이 알아서 자기자리에 저절로 안착되는건 아니잖아요.ㅡㅡ;
뭔가 제작방법이 있을것 같은데 궁금해요.
좌측의 np가 99.9 가 되고 pn이 0.1이 되도록 한다는데, 이게 무슨말인가요?
그리고 반도체 자체가 이중성질을 스스로 가지고 있는 것인가요? 다중인격자처럼요.
아니면 도체와 부도체로 자유롭게 전환시켜서 만들수 있는 어떤 재료적 성질이 좋다하여
반토막 도체라는 중립적 이름을 붙인 것인가요?
그리고 반도체를 만들때 회로도를 에칭으로 만드는 것은 이해가 가는데,
그 다음 공정의 불순물을 넣는게 이해가 안됩니다. 에칭으로 금속의 라인을 만들어 놓고,
불순물을 그냥 막 집어 넣으면, 지들이 알아서 자기자리에 저절로 안착되는건 아니잖아요.ㅡㅡ;
뭔가 제작방법이 있을것 같은데 궁금해요.
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댓글 8개
전혀 아는 분야가 아니라서 잘 모르겠네요 ㅡㅡ
반도체 -_-;;;
반도체에관한것을왜여기에???
멍~~~~
검색해서 찾아서 대답드리진않고
그냥 간단하게 상식으로 알고있는정도만..
반도체는 트랜지스터죠
전기가 가해지면 1
전기가 없어지면 0
그 반대인가ㅠ;;
뭐 그런 원리로 동작연산되고
최근에 본 뉴스는 dram의 한계는
10나노인가 20나노인가 라더군요
기술적으로 더 작게 만들수는 있으나
10나노인가 20나노인가 그 이하가 되면
트렌지스터가 너무 작아 제 구실을
못한다네요 그래서 현제의 기술로는
더 작게는 가능해도 기능상 소용이 없다네요
원천적인 다른기술이 필요하다는군요
ㅜㅜ
그냥 간단하게 상식으로 알고있는정도만..
반도체는 트랜지스터죠
전기가 가해지면 1
전기가 없어지면 0
그 반대인가ㅠ;;
뭐 그런 원리로 동작연산되고
최근에 본 뉴스는 dram의 한계는
10나노인가 20나노인가 라더군요
기술적으로 더 작게 만들수는 있으나
10나노인가 20나노인가 그 이하가 되면
트렌지스터가 너무 작아 제 구실을
못한다네요 그래서 현제의 기술로는
더 작게는 가능해도 기능상 소용이 없다네요
원천적인 다른기술이 필요하다는군요
ㅜㅜ
으..응??? ㅠ_ㅠ;; 어려운 세상
깊이 들어 가면 양자 역학까지 들어 가구요.
불순물이 전도체 성격을 띠게 합니다.
순수 실리콘 결정은 부도체구요.
불순물 첨가는, 쉽게 말하면 강한 속도로 던져서? 박아 넣습니다.
불순물이 전도체 성격을 띠게 합니다.
순수 실리콘 결정은 부도체구요.
불순물 첨가는, 쉽게 말하면 강한 속도로 던져서? 박아 넣습니다.
디지털 논리회로 던가 하는 과목 공부할때 배운 수박 겉핡기 정도가 지식의 전부인듯 ;;;
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4 이랑
https://www.ksia.or.kr/index.jsp 을 참조해 보심이 ....
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4 이랑
https://www.ksia.or.kr/index.jsp 을 참조해 보심이 ....
